Параметра кристаллической

В процесс* ЭДС с присадочной проволокой в качестве контролируемого параметра используется объом расплавленного мегилла в сварочной вешне, который оцанивввтся но взаимному расположению

ЗАЩИТНОЕ РЕЛЕ — прибор, автоматически реагирующий на заданное изменение контролируемого им параметра. Используется в схемах релейной защиты от КЗ и ненорм, режимов ЛЭП и электроустановок. В зависимости от физ. величины, на к-рую реагируют 3. р., их подразделяют на реле тока, напряжения, мощности, сопротивления и частоты. Различают 3. р. прямого действия (непосредственно действующие на привод выключателя) и косвенного (действуют на привод выключателя с помощью оперативного тока). В качестве 3. р. применяют электромагнитные, индукц., фер-родинамич. и магнитоэлектрич. реле, а также не-электрич. 3. р., напр, газовые.

Установка для измерения влажности сыпучих материалов (в частности, речной песок, гравий) основана на ослаблении прошедшей волны, и в качестве выходного параметра используется изменение амплитуды и фазы. Принципиальная схема устройства приведена на рис. 52.

Способ стабилизации обобщенного параметра используется в приборе с проходными ВТП для контроля удельной электрической проводимости а неферромагнитных прутков независимо от радиуса R прутков путем изменения рабочей частоты. Если фиксировать обобщенный параметр х, т. е. считать х = d, то эффективная магнитная проницаемость Иэфф также будет постоянна. Поэтому

тер), используем алгоритм, предусматривающий применение в качестве ведущего параметра решения как относительный прогиб , так и нагрузку q. Переход от одного параметра к другому, а также выбор величины и знака шага связывается с поведением функции q(g) или, точнее, с первой производной, подсчитываемой из ее конечноразностного представления. При убывании \dqld%>\ в качестве ведущего параметра используется прогиб, при возрастании — нагрузка. Таким образом получаем возможность построить всю кривую <7().

дущему параметру До. В качестве ведущего параметра используется относительный прогиб в вершине оболочек. Четвертое и пятое приближения для искомых функций дают в рассматриваемой задаче близкие результаты. Изменение Ago от 0,1 до 0,01 существенно повышает точность решения нелинейной задачи. Дальнейшее дробление шага незначительно сказывается на результатах и приводит к необоснованному увеличению времени машинного счета. Данные о нагрузках q, соответствующих некоторым значениям прогиба в вершине 0 сферической оболочки с жестко защемленным краем при f—4, сопоставляются с результатами работ [16, 26] (табл. 3).

В основу их принята гипотеза об однопараметрической зависимости профиля скоростей в пограничном слое. В качестве параметра используется

Уже упоминалось, что, помимо влажности, и другие параметры состояния могут служить мерой количества рабочего тела. Часто в качестве такого параметра используется температура пара в области п ар опер е гр ев а тел я. Соответствующая схема регулирования для прямоточного котла без сепаратора показана на рис. 10.14. Конечно и в данном случае можно измерять температуру на отдельных витках, как показано на рис. 10.12,а. При этом «ет необходимости в

3. Поверхность вращения, образованная плоской кривой, для описания которой в качестве параметра используется координата, отсчитываемая вдоль оси вращения (рис. 4.6). В этом случае

4. Поверхность вращения, образованная плоской кривой, для описания которой в качестве параметра используется радиус параллели (рис. 4.7). В этом случае

В качестве контролируемого параметра используется К. Контроль опор качения - рабочий. Контроль демонтированного подшипника - тестовый, при этом

Упорядочение может быть полным и неполным, когда все или часть атомов соответственно занимают определенное место в решетке. Упорядочение связано с диффузией, причем медленное охлаждение способствует этому процессу. От упорядочения зависит изменение параметра кристаллической решетки, хотя ее тип и строение остаются неизменными. Иногда возможно незначительное искажение. Так в упорядоченном растворе CuAu параметр с/а=0,935 и тип решетки Т12; а в неупорядоченном твердом растворе — с/а—1,0 и решетка К.12.

В зависимости от содержания С и легирующих элементов, а также от температуры промежуточного превращения, изменения величины параметра кристаллической решетки аустенита различны. Так, в стали с 0,54% С и 3—3,5% Сг при промежуточном превращении увеличивается параметр решетки аустенита, которому соответствует повышение концентрации С до 0,8%. При содержании в аустените 0,98% С параметр решетки остаточного аустенита в процессе превращения изменяется слабо. В стали с 1,44% С и 3,5% Сг наблюдается уменьшение средней

Изменение параметра кристаллической решетки ауатенита при промежуточном превращении показано на рис. 8.21.

Рис. 8 21 Изменения параметра кристаллической решетки аустенита при промежуточном превращении в различных сталях

На этой стадии атомы Си еще не выделяются из а-твердого раствора и среднее значение параметра кристаллической решетки (0,255 нм) остается неизменным. Но поскольку на участках повышенной концентрации Си параметр решетки существенно меняется, это приводит к возникновению значительных напряжений в кристаллах, раздроблению блоков мозаичной структуры и увеличению твердости .

Микрохимическая неоднородность с большой степенью точности и локальности (пятно анализа 1...4 мкм) может быть определена существующими методами анализа. При этом глубина анализируемого слоя составляет 1...3 параметра кристаллической решетки. Иногда такого анализа бывает достаточно, чтобы судить об эксплуатационных свойствах сварного соединения. Однако в ряде случаев, например при определении степени граничной неоднородности аустенитных зерен, локальность анализа может оказаться недостаточной. В этом случае представление о степени химической неоднородности можно получить, применяя аналитические методы расчета.

На немонотонный, скачкообразный процесс подрастания усталостной трещины за цикл нагружения на величину менее параметра кристаллической решетки указывают прямые эксперименты [73-77]. Регистрируемая на поверхности образца СРТ может сохраняться неизменной применительно к начальной стадии разрушения (стадия I), соответствующей процессу формирования псевдобороздчатого рельефа излома, так же как и величина шага усталостных бороздок применительно ко II стадии роста трещин. Все это дает основание проводить единое теоретическое описание процесса непрерывного и одновременно дискретного развития усталостной трещины.

теле и Шеррил [220] нашли, что кварц, кристобалит, тридилит и плавленая Si02 достигают предельной плотности (2,26 г/см3) после облучения потоком быстрых нейтронов 2-Ю20 нейтрон/см2. Обычно образующаяся фаза имеет структуру стекла, оптически изотропна, и плотность ее примерно на 3% больше плотности плавленой Si02. Будучи отожженной, она рекристаллизуется в а-кварц. Более высокая плотность и факт рекристаллизации в а-кварц дают возможность предположить, что обычно образующаяся при облучении фаза имеет несколько более высокий ближний порядок, чем плавленая Si02 [21 ]. С другой стороны, Примак и Шиманский [176], облучавшие плавленую Si02 до получения максимальной плотности (увеличение на 2,7%), после отжига обнаружили, что значение плотности возвратилось к исходной величине. Характер уменьшения плотности облученного кварца виден из рис. 4.17. До потока 5-Ю19 нейтрон/см2 плотность изменяется довольно медленно, затем быстро достигается предельное уменьшение плотности (около 15%) при потоке 1,5-1020 ней- Ш трон/см2. Для потоков, меньших примерно § 3-Ю19 нейтрон/см2, изменение плотности, вычисленное из параметра кристаллической решетки, соответствует плотности, измеренной гидростатическим способом. Но для больших потоков на основе рентгеновских данных получаются несколько большие изменения плотности.

свидетельствует о росте плотности дислокаций, изменении параметра кристаллической решетки, увеличении параметра Дебая-Уоллера и атомных смещений из узлов равновесной идеальной кристаллической решетки.

Консолидация ИПД измельченного порошка привела к некоторому изменению среднего параметра кристаллической решетки (табл. 1.4).

Вычисленные методом наименьших квадратов с учетом весовой функции sin 20 sin 20 усредненные значения параметров кристаллической решетки для наноструктурной Си, полученной ИПД кручением с числом оборотов, равным 6, и крупнокристаллической Си оказались равными 3,6135±0,0003 А и 3,6148±0,0002 А соответственно [79-82]. Таким образом, величина параметра кристаллической решетки в наноструктурной Си, полученной ИПД, была примерно на 0,03% меньше значения, соответствующего крупнокристаллической Си. Последнее в свою очередь очень близко к табличному значению 3,6150 А.