Количество дислокаций

Количество дымогарных труб 51X2,5 жж, 64 64

Количество пучков кипятильных труб, жж . . . Количество кипятильных труб 51x2,5, шт. . . Количество дымогарных труб 51X2,5, шт. . . . Паровой объем ж3 . ......... 26 314 0,57 1 33 64 0,8 36 105 1,3

Количество дымогарных труб 76X3, шт.: длинных 19 23 36 39 56

Количество дымогарных труб, шт ...... 15 28 60

Количество дымогарных труб **, шт .......

Количество дымогарных труб, шт................ gg

Количество дымогарных труб, шт. . Внутренний диаметр жаровых труб.

Количество дымогарных труб, шт. . Внутренний диаметр жаровых труб,

П р и м е ч а в и я: 1. Количество дымогарных труб: КУГ-66 — 374+64 (анкерных) шт., КУН-22/13 — 474 шт. Гидравлическое сопротивление котла УС-2,6/39 — 18 ат. 2. Котлы устанавливаются аля использования тепла а разных установках азотной промышленности и изготовляются Белгородским котельным заводом.

г- Примечание. Количество дымогарных труб котла Н-670 - 590+134 (анкерные) — 724 шт. Поверхность охлаждения кипящего слоя печи: УККС-4/40 — 16 л2,

Количество дымогарных труб в пучке Поверхность нагрева, лг2: жаровой трубы .......... 19 1,09 18 1,72 31 2,24

Согласно современным представлениям в обычных чистых металлах плотность дислокаций, т. е. количество дислокаций, приходящееся на единицу поверхности, равняется 108—109 см~2. Механические свойства металлов зависят от количества дислокаций и особенно от способности их к перемещению и размножению, о чем будет сказано дальше.

В металлах, как и во всех кристаллических телах, всегда существует значительное количество дислокаций и дефектов различного происхождения. При движении дислокаций, обусловливающем пластическую деформацию кристалла, происходят дислокационные реакции, сопровождающиеся возникновением точечных дефектов. Образование дефектов сопровождается возникновением упругих напряжений кристаллической решетки. Основной причиной появления этих напряжений является изменение электронной структуры вблизи дефекта. Поля напряжений, создаваемые дефектами кристаллической решетки, взаимодействуют с магнитоупруги-ми полями доменной структуры. Вблизи дислокационных линий могут возникнуть скопления из вакансий или примесных атомов. При значительных концентрациях таких скоплений образуются макроскопические дефекты. На макроскопических дефектах, как правило, имеют место разрывы непрерывности самопроизвольной намагниченности, образуются магнитные заряды. Совокупность доменов и междоменных границ составляет доменную структуру магнитного материала. Взаимодействием этой структуры с дефектами кристаллической решетки и с макроскопическими дефектами, в конечном счете, определяются все структурно-чувствительные свойства магнитных материалов.

кристалла толщина граничного слоя может считаться на один порядок меньше, она охватывает сравнительно небольшое количество атомных слоев, поэтому напряжения на границах зерен можно считать как бы переходными между напряжениями второго и третьего рода. С одной стороны, большое количество дислокаций скапливается в граничных межзеренных слоях, поскольку здесь неизбежны многочисленные искажения решетки, - это порождает напряжения третьего рода. Но, с другой стороны, граничный слой является зоной силового взаимодействия между отдельными кристаллами. Следовательно, здесь имеется поле напряжений, охватывающее все грани кристалла, что, несомненно, должно быть отнесено к напряжениям второго рода.

В металлах, как и во всех кристаллических телах, всегда существует значительное количество дислокаций и дефектов различного происхождения. При движении дислокаций, обусловливающем пластическую деформацию кристалла, происходят дислокационные реакции, сопровождающиеся возникновением точечных дефектов. Образование дефектов сопровождается возникновением упругих напряжений кристаллической решетки. Основной причиной появления этих напряжений является изменение электронной структуры вблизи дефекта. Поля напряжений, создаваемые дефектами кристаллической решетки, взаимодействуют с магнитоупруги-ми полями доменной структуры- Вблизи дислокационных линий могут возникнуть скопления из вакансий или примесных атомов. При значительных концентрациях таких скоплений образуются макроскопические дефекты. На макроскопических дефектах, как правило, имеют место разрывы непрерывности самопроизвольной намагниченности, образуются магнитные заряды. Совокупность доменов и междоменных границ составляет доменную структуру магнитного материала. Взаимодействием этой структуры с дефектами кристаллической решетки и с макроскопическими дефектами, в конечном счете, определяются все структурно-чувствительные свойства магнитных материалов.

то соответственно общее количество дислокаций

где YC — работа, необходимая для распространения трещины через карбид, п — количество дислокаций, которые скопились у поверхности раздела карбид — матрица, Ъ — дислокационный вектор Бюргерса, Gc — модуль сдвига карбида, k — параметр Петча и (Da — d) — расстояние между частицами в плоскости. Это уравнение подобно уравнению (11), и здесь также предполагается, что расстояние между частицами равно длине скопления дислокаций и длине свободного скольжения. В работе [47] приведено уравнение для напряжения 0Р, необходимого для продвижения трещины в феррит, согласно критерию Гриффитса — • Орована:

Можно предложить два объяснения факту отсутствия дальнейшего накопления дислокаций в теле зерен [61]. Во-первых, небольшое количество дислокаций в теле каждого отдельного зерна участвует в деформации. Действительно, число дислокаций, скользящих в единицу времени в зерне, может быть оценено с учетом предположения, что они быстро захватываются границами зерен. При скорости деформации 1,4 х 10~3с~1, использованной в эксперименте, макроскопическая деформация, равная 50%, требует временного интервала в 360 с. Принимая во внимание размер зерен 210 нм, а удлинение зерен 105 нм, что соответствует скольжению примерно 400 дислокаций, получаем, что в отдельном зерне в деформации участвует 1 дислокация в секунду. Во-вторых, отсутствие накопления дислокаций может быть связано с процессами возврата. Часть возврата может осуществляться путем поперечного скольжения дислокаций. Более того, возврат должен происходить также в результате поглощения дислокаций границами зерен. Рассмотрим данный процесс более подробно.

где величина dN/dt обозначена п и выражает количество дислокаций, образовавшихся в единице объема в единицу времени, т. е. поток «химической реакции» образования дислокаций, имеющей сродство А. Назовем обобщенный поток п дислокационным током. С учетом выражений (182) и (81) находим для потока п:

где величина dN/dt обозначена п и выражает количество дислокаций, образовавшихся в единице объема в единицу времени, т.е. j поток «химической реакции» образования дислокаций, имеющей f сродство Л. Назовем обобщенный поток п дислокационным током. I С учетом выражений (194) и (93) находим для потока п:

При испытаниях на воздухе на ранних стадиях нагружения происходило повышение микроискажений кристаллической решетки II рода, вызванное появлением большого числа дефектов решетки. По мере роста числа циклов нагружения количество дислокаций росло и они начинали взаимодействовать между собой,

где п — количество дислокаций в скоплении; 5 — вектор Бюр-герса; G — модуль сдвига.