Диффузного излучения

Фон на рентгенограмме является результатом диффузного рассеяния рентгеновских лучей [87]. Как известно, причинами появления фона могут быть тепловое диффузное рассеяние, отсутствие дальнего и (или) ближнего порядка в расположении атомов при аморфизации вещества и диффузное рассеяние твердым раствором. Тепловое диффузное рассеяние приводит к монотонному росту интенсивности фона с ростом угла дифракции в на рентге-

70. Меркулов Л. Г. Поглощение и диффузное рассеяние ультразвука в металлах. — «Журнал технической физики», 1957, т. 27, вып. 5, с. 1045—1050.

идею о газоподобных границах, т. е. полностью разупорядоченных границах. Это положение основывалось на определении координационного числа (т. е. числа ближайших соседей) для нанокрис-таллического Pd по данным различных методов (диффузное рассеяние рентгеновских лучей, мессбауэровская спектроскопия, рентгеновская абсорбционная спектроскопия и др.). Многие исследователи, основываясь главным образом на данных, полученных с помощью ПЭМ высокого разрешения, полагают, однако, что нет особых различий в структуре межкристаллитных границ в нано-материалах и обычных поликристаллических объектах, т. е. встречаются как малоугловые границы (разориентация менее 10°, см. рис. 2.10, а), так и большеугловые границы разных типов*.

толщины 5// с учетом коэффициента зеркальности, т. е. доли электронов, зеркально рассеянных поверхностями пленки. Эти данные основываются на теории К. Фукса, развивающей представления Д. Томсона (соотношение (3.1)). Как следует из данных рис. 3.15, для коэффициента зеркальности р, равного единице (т. е. полного «зеркального» рассеяния, когда после соударения электрона с поверхностью сохраняется его энергия и параллельная поверхности составляющая импульса), электросопротивление пленок не зависит от их толщины. Наиболее резкая размерная зависимость наблюдается при р = 0 (так называемое диффузное рассеяние, когда после соударения характеристики электрона становятся иными).

вится на эталон блеска (керамическая пластинка, покрытая свинцовой глазурью черного цвета) и на плоский участок изделия, причем в обоих случаях отмечаются показания индикатора в положении / (зеркальная составляющаяЧ-диффузное рассеяние) и в положении II (диффузное рассеяние). Расчет в этом случае ведется по формуле:

Если бы кристалл был идеальной дифракционной решеткой, его дифрактограмма содержала бы только брэгговские пики. Но из-за нарушений периодичности интенсивность рассеянного образцом излучения оказывается отличной от нуля и при «небрэгговских» углах (рис. 109). Это так называемое диффузное рассеяние.

достаточности общего освещения применяются направленные осветители, обеспечивающие контроль в проходящем (в случае прозрачных или полупрозрачных объектов) или отраженном свете, в светлом или темном поле, от чего зависят разрешающая способность, контраст и качество изображения объекта. Наблюдение в светлом поле происходит, если свет от контролируемого объекта (или сквозь него) непосредственно попадает в объектив, создавая изображение, причем поглощающие или плохо отражающие элементы объекта будут выглядеть темными на светлом фоне (позитивное изображение). При работе в темном поле свет не попадает непосредственно от осветителя и контролируемого объекта в объектив или глаз оператора (косое освещение), если объект имеет высокое качество поверхностей и не имеет других дефектов, а изображение формируется только отдельными элементами или дефектами, на которых происходит диффузное рассеяние света. Сильно рассеивающие свет участки контролируемого объекта при этом выглядят более светлыми на темном фоне (негативное изображение). Для визуального контроля в трудно доступных местах используют зеркала, закрепленные на ручках или штангах и изменяющие направление хода лучей.

Эксперименты подтвердили, что проектируемая аппаратура должна допускать измерение временных интервалов между УЗ эхо-сигналами, которые распространяются со скоростями в диапазоне от 2500 до 6500 м/с. В некоторых экспериментах обнаружилось, что затухание ультразвука, превышающее 0,3 дБ/см (на частоте 5 МГц), существенно затрудняет УЗ измерения. Дополнительные эксперименты установили связь затухания с особенностями структуры применяемых сплавов, прежде всего с балльностью зерна. К примеру, диффузное рассеяние ультразвука на границах зерен одной из марок жаропрочной стали при балльности 2 сделало УЗ контроль невозможным, но при балльности 8 в том же сплаве наблюдались отраженные УЗ импульсы, количество и амплитуда которых оказались достаточными для успешного проведения контроля [7]. Эмпирически установлено нормальное условие контроля, связывающее длину УЗ волны X в материале образца и средний размер зерна Dcp :

(диффузное рассеяние).

2.3.4. Диффузное рассеяние электронов ........

В предлагаемом читателю издании, в отличие от предыдущих, представлены такие новые и перспективные методы исследования, как количественный анализ структуры, диффузное рассеяние электронов, растровая электронная микроскопия, рентгеноспектральный анализ, Оже-элек-тронная спектроскопия, ядерный гамма-резонанс, радиоспектроскопия и др.; справочник дополнен разделом о способах оценки параметров вязкости разрушения, живучести; отдельно освещены такие важные специальные испытания, как оценка износостойкости, кавитационной стойкости.

При испытаниях в вакуумной камере имеет значение не абсолютная величина теплового потока дт, а его доля по отношению к лучистому тепловому потоку дя. Поток тепла, рассеиваемый поверхностью испытуемого изделия при постоянной температуре и при условии диффузного излучения и отражения, можно представить в виде

щательной способности газового слоя av г для диффузного излучения, падающего на границу слоя.

Исходные дифференциальные уравнения для диффузного излучения и симметричной «вперед-назад» индикатриссы рассеяния записываются в этом случае применительно к плоскому слою в виде:

Для диффузного излучения калорическая яркость связана с энергией полусферического излучения соотношением:

Эффективное излучение тела в этом случае строго подчиняется закону Ламберта (даже в случае зеркальной поверхности) и, таким образом, является примером идеально диффузного излучения тела, а поглоща-тельная способность тела, и7"~ независимо от особенностей спектра собственного излучения окружающих тел, равна е тела. На основе изложенного следует практически важный вывод: если имеется замкнутая система тел с одинаковой температурой, то эффективное излучение (сумма собственного и отраженного излучений) каждого элемента поверхности любого тела будет равна абсолютно черному излучению при

Сравнивая уравнения (7-2) и (7-3), получаем уравнение для определения элементарного углового коэффициента переноса диффузного излучения (е данном случае — эффективного) 9dF dF

Из (7-4) видно, что угловой коэффициент диффузного излучения элементарной поверхности dF\ является чисто геометрическим параметром. Из уравнения (7-4) также следует, что геометрически подобные системы поверхностей имеют одинаковые значения угловых коэффициентов. Уравнение (7-4) справедливо не только для диффузного эффективного излучения, но и для диффузного собственного и отраженного излучений.

где fdFitdfi — элементарный угловой коэффициент переноса энергии диффузного излучения (в данном случае — эффективного) от элементарной поверхности dFz на элементарную поверхность dFi.

Таким образом, величина локального углового коэффициента переноса энергии диффузного излучения эле-92

коэффициента переноса энергии диффузного излучения поверхности Рг на элементарную поверхность dF\. Подставив в формулу (7-16) уравнение (7-6) и принимая, что распределение ?эфз по поверхности F2 однородно, получим:

где через 4>FiiPi обозначен средний (интегральный) угловой коэффициент переноса энергии диффузного излучения (в данном случае — эффективна поверхность F2.