Детальном исследовании

7^ ством в условиях полного и детального равновесия процессов излучения и поглощения.

выражающие принцип детального равновесия элементов системы. Из сочетания (4-11) с (4-8) находим:

Для них, согласно принципу детального равновесия, должны

ПРИНЦИП [взаимности — совокупность теорем из разных областей физики, устанавливающих перекрестную связь между источниками и создаваемыми ими полями в местах расположения источников; возможных (виртуальных) перемещений: «для равновесия любой механической системы с идеальными связями необходимо и достаточно, чтобы сумма элементарных работ действующих на нее активных сил при любом виртуальном перемещении системы была равна нулю (если все связи удерживающие) или меньше нуля (если среди связей есть неудерживающие)»; Гаусса (наименьшего принуждения): «из кинематически возможных движений механической системы с идеальными связями осуществляется то движение, для которого принуждение, т. е. разность между ускорениями точек в присутствии связей и без них, минимальна»; Герца (наименьшей кривизны) — частный случай принципа Гаусса, когда силы связей стационарны; Гюйгенса: «фронт волны на какой-то момент времени находится путем построения огибающей волн, распространяющихся от вторичных источников»; Гюйгенса — Френеля — приближенный способ нахождения интенсивности дифракционной картины путем учета интерференции волн, распространяющихся от вторичных источников; Даламбера — метод, позволяющий свести задачи динамики к задачам статики; Даламбера — Лагранжа — общий метод решения задач динамики и статики, объединяющий принцип возможных перемещений и принцип Даламбера; двойственности устанавливает перекрестную связь между электромагнитными полями, образующимися при дифракции на отверстии заданной формы в идеально проводящем плоском экране и на плоской пластине, совпадающей по форме с отверстием; детального равновесия — утверждение, согласно которому любой микроскопический процесс в равновесной системе протекает с такой же скоростью, как и обратный ему процесс]

Б. Уравнение детального равновесия

Для аналитического определения qc уравнение (6-3-1) необходимо дополнить уравнением, описывающем неизвестную функцию х(Я) [или
Выведем уравнение детального равновесия, полагая, что столкновения происходят за счет естественного роста капель [6-21]. Будем при этом исходить из условия, что 8^90°, полагая, что краевой угол фиксирован, т. е. не аа висит от процесса. При рассмотрении случая 6>90°

Рис. 6-5. К выводу уравнения детального равновесия.

Подставляя в уравнение (6-3-3) выражения (6-3-8), получаем следующее уравнение детального равновесия [6-21, 6-22]:

В предельном случае, когда частота слияний капель очень мала, решение уравнения детального равновесия (6-3-9) получается элементарно:

Оценки, сделанные на основе уравнения детального равновесия, показывают, что характер распределения капель по размерам должен меняться в зависимости от величины NF0, где Р0 — площадь, занятая каплей отрывного радиуса.

Согласно ГОСТ 6130—71, жаростойкость металлов, т. е. их сопротивляемость газовой коррозии при высокой температуре, определяют по изменению массы стандартных образцов или непосредственным измерением глубины коррозии после их выдержки в печи с соответствующей газовой средой при температуре испытания, которую устанавливают в зависимости от условий эксплуатации исследуемого материала. При более детальном исследовании жаростойкости стали необходимо проводить испытания не менее, чем при трех температурах: рабочей, ниже и выше рабочей на 50 град.

Обнаружить наличие пассивных связей при детальном исследовании механизма нелегко, можно лишь отметить, что они

Бейкер и др. [4] подробно исследовали усталостные свойства в композитах алюминий — кварцевое стекловолокно. Авторами было установлено, что волокна без покрытия не испытывают усталости, тогда как волокна с покрытием обнаруживают такую же усталость, что и композит. При детальном исследовании разрушенных образцов было отвергнуто предположение о том, что разрушение стекловолокна начинается от трещины в матрице. Имеются

Формы применяемых колебаний определяются целью испытаний, техническими условиями и особенностями эксплуатации объекта. При детальном исследовании возможностей объекта противостоять действию вибрации, при отработке равнопрочных конструкций, а также при исследовании резонансных эффектов действия вибрации, можно использовать одновременно или последовательно несколько форм колебаний. Однако более совершенные методы испытаний с применением сложных форм колебаний не исключают, а дополняют методы испытаний с применением простейших форм колебаний, которые при испытании объектов являются достаточными и вполне достоверными.

Линдсей и Абраме [11] сообщили о детальном исследовании извлечения следов продуктов деления из воды высокой чистоты. Были получены средние величины С0/С, большие 103 для слоя высотой 760 мм при скорости фильтрования 18,3 м/ч для свободных от носителя 137Cs, 140Ba, 90Sr, 144Ce, 106Ru, 95Zr, 131I и других изотопов.

При детальном исследовании обрабатываемости, предусматривающем выявление взаимозависимости всех или некоторых факторов резания (при разработке нормативных материалов по режимам резания), пользуются критерием затупления (см. стр. 285).

Отметим также, что на основе метода обратных задач динамики может быть осуществлена постановка и ряда фундаментальных исследований в нейтронной физике, теплообмене, гидродинамике, электрофизике и т. п. Здесь этот метод может оказаться незаменимым, особенно при обработке и интерпретации результатов эксперимента. В частности, полученные в ходе идентификации интегральной модели процесса эффективные значения параметров а{ можно затем использовать в качестве информативных функционалов при более детальном исследовании проблемы. Например, известно, что в случае стабилизированного теплообмена в трубе при постоянной плотности теплового потока на стенках коэффициент теплоотдачи а выражается в виде функционала, зависящего от профиля скорости теплоносителя и турбулентного числа Прандтля (интеграл Лайона) [48]:

Конечно при детальном исследовании отдельных технологических процессов определение к. п. и. должно уточняться с полным учетом всех экзо- и эндотермических реакций процесса.

Re2Si образуется конгруэнтно при -I960 °С. Следует отметить, что в работах [Э, 1] этому соединению приписывалась формула Re5Si3, которая была уточнена при детальном исследовании [2]. Силицид Re2Si образует две эвтектики: при ~ 1820 °С и 47 % (ат.) Si с ReSi, а при - 1900 °С и 33 % (ат.) Si с Re. Растворимость Si в (Re) весьма мала. В работе [2] уточнена структура силицида Re2Si и установлена температура его перехода в сверхпроводящее состояние, равная 3,8 К. Кристаллическая структура силицидов приведена в табл. 393.

Одним из наименее изученных является вопрос о структурных особенностях гидрированных пленок и о влиянии «структуры» на фундаментальные электрические и оптические характеристики получаемых композиций. В детальном исследовании этих проблем лежит ключ к получению приборных композиций с воспроизводимыми и оптимизированными структурой и электрофизическими свойствами. Если для пленок a-Si:H к настоящему времени достигнут значительный прогресс в этом направлении, то пленки других гидрированных полупроводников еще существенно им уступают как по своим структурным характеристикам, так и по возможностям воспроизводимого управления их электрическими и оптическими свойствами.

Все перечисленное стало возможным лишь благодаря выдающимся достижениям в развитии технологии молекулярно-ггучковой и МОС-гид-ридной эпитаксии, обеспечившим возможность синтеза высококачественных квантоворазмерных композиций широкого круга полупроводниковых материалов. Однако по существу развитие технологии и материаловедения наноструктур лишь только начинается. С материаловедческих позиций наноструктуры являются весьма специфическими объектами, свойства которых в значительной степени определяются свойствами их поверхности и явлениями, разыгрывающимися на границах раздела фаз. Все это определяет специфику межфазных взаимодействий и особенностей поведения примесей и структурных дефектов в наноразмерных многофазных композициях. Ключ к получению недеградирующих наноструктур с контролируемыми свойствами лежит в детальном исследовании всех этих явлений.